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一，功率循环GK-PC-3000
主要特点
*兼容热阻测试、秒级功率循环和分钟级功率循环试验;
*适用于IGBT和SiC MOSFET试验;
*配置3个通道，每个通道可独立设置Ton和Toff时间;
*在预启动模式下，可方便检查线缆连接情况;
*在MOSFET模式下，可设置栅极电压延迟关断时间;
*对到器件端的大电流连接线有降温措施，防止线缆与产
*品的接触点温度过高而损坏器件;
*多重保护措施，让试验安全无忧;
主要技术指标
设备结构：
功率循环设备电源部分的设计采用了3通道的架构，可以同时并行输出3路加热电流。当设备工作在3通道模式下，可以同时输出3路最大为1000A的加热电流（加热电流可根据实际产品选择），等效于3个独立的1000A的电流源，可以对最多为3*4=12个的IGBT器件同时进行功率循环试验或热阻测试。
加热电流能力：
* 0~3000A电流驱动能力（根据实际产品选择），500mA分辩率，精度 0.1% Set±0.3% range;
* 可以在3通道模式下工作，等效于3个独立的1000A电流源（电源品牌：TDK-Lambda）；
* 最小脉冲宽度为500ms，50ms脉冲开启时间，50us脉冲关闭时间；
* 支持0~12V Vce器件导通电压；
测试电流能力：
* 0~3A电流测试能力，0.5mA分辩率，精度0.5% Set±0.125% range；
* 可以在3通道下模式使用，等于3个独立的1A恒流源；
* 支持0~12V Vce器件导通电压；
栅极电压源：
* 电压范围：-10V~+20V；
* 分辨率：0.1V，精度0.5% Set±0.25 range；
栅极电流测量能力：
* 测量范围：500pA~100uA；
* 分辨率：50pA的分辨率；
数据采集能力：
* 具有3个测试通道用来采集功率循环试验和热阻测试的数据；
* 每个测试通道具有±12V的电压输入范围；
* 每个测试通道具有最高10uV的电压分辨率，对应测量结温的精度是0.01℃；
* 每个测试通道电压信号的采样时间是1us；
AQG324相试验标准（PCs）
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AQG324相关试验标准（PCm）
试验线路（IGBT与MOS）
实测波形（SiC Mosfet 模块试验)
实测波形（SiC Mosfet 模块试验)
功率循环实测案例
1. IGBT功率循环测试：
试验机台：GK-PC-3000A
Control Strategy：恒电流模式
测试模块型号：APHS500F08I1-UNIT
测试条件：Vge=15V，Im=100mA，Ton=2s，Toff=3s， △Tj=100℃，Tjmax=150℃，IH=655A;
K-Factor：k=-2.374mV/℃ VF@0℃=558.51mV；
功率循环实测案例（状态参数监控）
热阻实测案例
1. IGBT热阻测试
试验机台：GK-PC-3000A
测试模块型号：APHS500F08I1-UNIT
测试条件：Vge=15V，Im=100mA，Ton=30s，Toff=30s，IH=400A;
K-Factor：k=-2.374mV/℃ VF@0℃=558.51mV；
2. SiC Mosfet热阻测试
试验机台：GK-PC-3000A
测试模块型号：BMS600R12HWC4
测试条件：Vgs-on=15V，Vgs-off=-4V，Im=-100mA，Ton=30s，Toff=30s，IH=300A;
K-Factor：k=-4.178mV/℃ VF@0℃=2304mV；
功率循环老化模式
1. 恒电流模式（Const.Cycling Current）
2. 恒结温差模式（Const.Deltate Tj）
功率循环其他实测案例（其他模块上机测试图）
二，电学法测试热阻
研究背景与意义
• 热阻是反映SiC功率模块热可靠性重要的参考之一，指的是SiC功率模块阻碍热量散失的能力。对于不同模块
而言，相同负载下，热阻的大小会影响模块结温的高低。正常工作时，结温越低，热阻越小，则 SiC功率模块
的散热性能越好。
• 如何更有效地测量得到热阻便成了评估模块散热性能与优化模块热结构的关键。
因此需要进行软件自主设计！
瞬态双界面法
测量步骤如下：
1） 第一次测量时，将模块直接接触散热器，施加阶跃功率，
记录结温变化情况，得到热阻抗曲线。
2） 在器件和散热器之间涂一层很薄的导热硅脂，施加阶跃功
率，再次记录结温变化情况，得到热阻抗曲线。
3） 由于导热路径的差异只有在壳到散热器接触面，因此两种
测试条件下，结到壳的热阻抗曲线重合，在导热硅脂处发生分
离。分离点的热阻抗即为器件的热阻抗。
热阻抗曲线
时间常数谱
时间常数谱
对热阻抗曲线进行求导，得到阻抗导数曲线。需要对其进行滤波，使用matlab自带的smooth函数
（五点均值滤波），滤波次数（n）对比如下：
贝叶斯反卷积与Foster模型
对阻抗导数曲线进行贝叶斯反卷积，得到时间常数谱：
模型转化
与T3ster Master软件结果比对
效果展示（蓝色为测试结果，橙色为T3ster Master结果）
图像意义
如需完整产品资料以及报价，请联系：134 8080 7445（廖生）
